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中国存储整体亮相FMS，圣塔克拉拉刮起中国风

       2018年全球最大规模的闪存峰会（FMS）于2018年8月7日美国硅谷圣塔克拉拉国际会展中心召开，开场第一天，中国存储业界再次整体亮相主题为“中国闪存生长和时机”专场论坛，展示中国闪存工业的生长状态和未来时机。一连六年来，该专场都安排在第一天早上的第一批专题论坛，是闪存峰会热门论坛之一。

       聚会最先，中国专场主席骆建军博士对列位来自全球各地的听众和来自中国的列位专家们致以热烈的接待。骆建军博士是one体育电子股份有限公司CEO，也是杭州电子科技大学微电子研究中心教授。他体现，中国的市场机缘和闪存的生长是未来闪存市场生长的主要基石，中国企业在闪存方面的应用是能够给其他国际友商需要参考的重点，通过一直的加入和互动，未来中国闪存能够带来更多应用偏向和生长良机。

       从第一位演讲嘉宾——百易传媒（DOIT）首创人兼CEO郑信武揭晓了《闪存加速中国数字经济》的主题演讲。郑总首先先容了现今中国存储工业专业聚会的组织与召开情形，并围绕闪存手艺全景图先容了中国闪存市场的生长现状，他指出中国本土厂商约占闪存厂商总数的三分之一，主要集中在工业链中下游，如SSD和存储组件，控制器和闪存存储系统等领域，但营收占比却缺乏20%。而2019年是中国存储芯片工业的生产元年。以制造NAND Flash的长江存储，以及制造DRAM的合肥长鑫和福建晋华为主，三家企业芯片厂都将在明年完工并投入量产，并对全球DRAM与NAND Flash市场供应爆发重大影响。

      第二位演讲嘉宾，中科院刘明院士揭晓了《RRAM针对未来存储与盘算应用的研究希望》，刘院士指出在已往的60年中，盘算性能提升了1010倍，我们面临摩尔定律逐渐失效，古板存储限制，冯诺依曼架构中内存性能瓶颈等挑战，NVM在未来盘算中将施展主要作用，通过融合M(memory)/S(storage)简化内存系统结构，集成M（memory）/C（computing）解决内存墙问题，实现类大脑高效盘算，而在一代NVM 器件竞争中，RRAM作为新型存储手艺是一个理想的选择。

      第三位演讲嘉宾为紫光得瑞工程师Meng Xin揭晓了《NAND结构感知控制器架构》，指泛起今NAND Flash面临的挑战，以及怎样借助NAND结构感知实现自顺应误差抑制（Adaptive Error Mitigation），其中主要包括噪音单位修复（Noise Cells Repair），动态单位评级（Dynamic Cell Levels），标记识别坏闪存块并扫除，以及自顺应RAID。

      第四位演讲嘉宾为华为存储首席架构师查伟揭晓了《构建基于存储系统的键值闪存盘》演讲。围绕键值磁盘的界说，睁开键值闪存盘存储系统的演进之路，并详细先容了构建基于存储系统闪存盘的三项手艺立异——协议优化，FTL优化，标准化键值接口。

      第五位演讲嘉宾为奇维科技（Keyway Technology）Chen Banghong揭晓了《边沿盘算的存储趋势》，先容边沿盘算的特征以及其存储需求，指出在边沿盘算SSD的生长趋势，即知足SSD性能需求，基于日期的文件治理以及具备AI特征。

      第六位演讲嘉宾为GigaDevice兆易立异战略营销VP Michael Wang揭晓了《来自尊中华区的NOR Flash：从追随者到向导者》，先容闪存手艺的生长历程，以及NAND与NOR Flash的区别和市场应用。他体现，现在NAND闪保存智能手机和SSD市场占有主导职位，而NOR Flash则坚定自身定位，成为嵌入式系统中不可或缺的代码存储器。未来随着物联网，智能手机和汽车应用的推动，NOR Flash将再次实现高速生长。

      在前面六位专业人士的展示之后，大会尚有为期2天的产品展览和种种洽谈。显着区别于最先的几届闪存峰会(FMS)险些看不到中国企业参展，这次参展的中国企业比以往任何一次都多，包括紫光集团、华为、兆易立异、one体育、忆恒创源等中国大陆企业。骆建军博士说：“本次论坛的演讲，一如既往被安排在闪存峰会第一天的第一时间，得益于这几年中国存储工业升温很快，各人都看到了未来数据工业的重大潜力。也得益于中国企业越来越接轨全球工业。而闪存产值占有了全球半导体工业约三分之一，也形成了大数据/云系统的主要硬件装备的本钱，是有个战略性的领域，不但仅对中国信息工业很主要，对全球工业名堂也影响很大。”本次论坛充分显示了中国的存储工业正在起步生长，是各人很是关注的热门。